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怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由 |
| 新聞來源：上海飛粵電子有限公司 發(fā)布時(shí)間：2014-2-14 瀏覽次數(shù)：623 |
怎么區(qū)分可控硅模塊的損壞緣由
當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí)，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調(diào)查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。
電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其方位在遠(yuǎn)離操控極上。
電壓擊穿�？煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞，其芯片中有一個(gè)光亮的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。
電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。
邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。
以上4種緣由都是可控硅模塊的常見損壞緣由，遇到可控硅模塊損壞事情，應(yīng)鎮(zhèn)定剖析。
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